DNF申请氨基烷氧基二硅氮烷化合物等相关专利 可形成高纯度含硅薄膜
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金融界2025年6月11日消息,国家知识产权局信息显示,DNF有限公司申请一项名为“氨基烷氧基二硅氮烷化合物、包含其的含硅薄膜沉积用组合物及使用其的含硅薄膜的制备方法”的专利,公开号CN120118115A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本发明涉及一种氨基烷氧基二硅氮烷化合物、包含其的含硅薄膜沉积用组合物及制备使用其的含硅薄膜的方法,本发明的氨基烷氧基二硅氮烷化合物可作为热稳定且具有高挥发性及反应性的化合物使用含硅前驱体,因此可通过多种沉积方法,形成具有优异的物理及电特性的高纯度含硅薄膜。
本文源自:金融界
作者:情报员
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