金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，晶赫泰科技有限公司申请一项名为“一种具有多个沉积位点的长晶装置与其制程”的专利，公开号CN120119332A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明揭示一种具有多个沉积位点的长晶装置，主要包括：一加热腔体，内部设置有一可旋转的支柱；至少一加热承载组件，连接于该支柱上，该加热承载组件包含一坩埚，一过滤器，复数个沉积位点，该坩埚有复数个来源材料；一热发生器，设置在该加热腔体内部，用于提供该热能给该加热腔体；以及复数个刚性装置，作为辅助加热器或沉积散热器，以使得该加热腔体内部的至少一热场形成具有2D或3D热梯度。本发明更揭示一种具有多个沉积位点的长晶制程。通过在多个沉积位点上形成2D或3D热梯度，稳定地快速制造缺陷少的化合物晶体。

本文源自：金融界

作者：情报员