金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120152280A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底、阻挡层和支撑层被顺序堆叠的下结构之上形成堆叠体；通过使用阻挡层作为刻蚀停止层来刻蚀堆叠体和支撑层而形成多个牺牲垂直开口；以及在堆叠体中形成包括垂直导线、水平导线和数据储存元件的三维存储单元。

本文源自：金融界

作者：情报员