盛吉盛半导体申请化学气相沉积装置及其运行方法专利,涉及化学气相沉积装置及其运行方法
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金融界2025年6月13日消息,国家知识产权局信息显示,盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司申请一项名为“化学气相沉积装置及其运行方法”的专利,公开号CN120138614A,申请日期为2024年05月。
专利摘要显示,本发明涉及化学气相沉积装置及其运行方法,更详细而言,涉及化学气相沉积装置及其运行方法,该化学气相沉积装置包括:多个线性致动器,分别设置于晶圆传送腔体或晶圆处理腔体,以开闭所述晶圆传送腔体或所述晶圆处理腔体的引线;控制部,驱动所述多个线性致动器,并设置在一个地点;以及连接部,连接所述控制部和所述多个线性致动器。
本文源自:金融界
作者:情报员
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