金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，湖北通格微电路科技有限公司申请一项名为“发光结构及其制备方法、发光芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120152463A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请涉及一种发光结构及其制备方法、发光芯片及其制备方法，发光结构位于第一基板在第一方向的一侧，发光结构包括沿第二方向依次设置的第一电极、第一透明导电层、第一半导体层、第二半导体层、第二透明导电层和第二电极；其中，所述第一方向和所述第二方向相交。相较于传统的在第一方向上依次设置基板、两层半导体层、透明导电层和电极的方式，本申请的技术方案可以增大半导体层与透明导电层的接触面积，增大发光结构的导电面积，从而提高发光结构的导电性能和发光效率。

天眼查资料显示，湖北通格微电路科技有限公司，成立于2022年，位于省直辖县级行政区划，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48500万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北通格微电路科技有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可27个。

本文源自：金融界

作者：情报员