金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“结构和形成结构的方法”的专利，公开号CN120164849A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开涉及形成结构的方法、减小半导体衬底上的特征的间距的方法、图案化目标层的方法、在间隙中沉积材料的方法以及半导体处理组件。该方法包括在反应室中提供包括间隙的图案化衬底，其中间隙具有侧壁，并且侧壁覆盖有间隔件材料。该方法还包括通过气相沉积方法在间隙中沉积第一金属，以至少部分地填充间隙。

本文源自：金融界

作者：情报员