盛吉盛半导体申请基板沉积时间控制方法等专利,对每个子沉积工序的沉积时间进行自动控制
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金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司申请一项名为“基板沉积时间控制方法、装置、设备、介质及沉积方法”的专利,公开号CN120174326A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明提供一种基板沉积时间控制方法、装置、设备、介质及沉积方法,通过获取与基板的沉积工序对应的工艺配方,再获取与沉积工序对应的沉积时间偏差表,然后根据沉积时间偏差表,在子沉积工序的默认沉积时间的基础上对每个子沉积工序的沉积时间进行自动控制,对于相同类型的沉积工序的各子沉积工序应用沉积时间偏差表,用统一的工艺配方进行管理。
本文源自:金融界
作者:情报员
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