金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种半绝缘碳化硅晶体及其生长方法和应用”的专利，公开号CN120174486A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体及其生长方法和应用。所述生长方法依次包括装料步骤和长晶步骤；所述装料步骤的具体工艺包括：在装料装置的底部组装长晶原料，所述长晶原料包括碳化硅粉料和掺杂剂，得到长晶原料区；所述掺杂剂包括含有深能级元素的化合物；以垂直于所述装料装置的底面的方向为垂直方向，所述长晶原料区在垂直方向上从上到下依次设置第一原料层、第二原料层和第三原料层；所述第一原料层、所述第二原料层和所述第三原料层中的掺杂剂的掺杂浓度按顺序依次升高。本发明提供的生长方法通过对长晶原料区进行划分和设计长晶原料区的掺杂浓度，实现了深能级元素在碳化硅晶体中的均匀分布，得到掺杂元素分布均匀的半绝缘碳化硅晶体。

天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可18个。

本文源自：金融界

作者：情报员