金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种硅基氮化物薄膜层的刻蚀方法及刻蚀设备”的专利，公开号CN120184014A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供一种硅基氮化物薄膜层的刻蚀方法及刻蚀设备，包括以下步骤：提供一表面具有硅基氮化物薄膜层的衬底；将其置于容纳有磷酸刻蚀液的刻蚀槽中以去除硅基氮化物薄膜层，在刻蚀过程中，刻蚀槽中的气泡发生装置往磷酸刻蚀液中引入微纳米气泡以引发微湍流促进刻蚀均匀性，且微纳米气泡在硅基氮化物薄膜层表面破裂产生局部压力以增强刻蚀反应。本发明基于微纳米气泡与磷酸刻蚀液的协同作用，实现了硅基氮化物薄膜层的高效去除。与传统刻蚀工艺相比，本发明刻蚀速率提升了30％以上，且极大地优化了刻蚀均匀性，大幅提高了对硅基氮化物薄膜层和氧化物薄膜层的刻蚀选择比。同时，微纳米气泡的引入显著降低了化学品用量、生产成本和环境负担。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目711次，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员