金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，行至存储科技（苏州）有限公司申请一项名为“改善存储器的存储单元电极界面特性的存储单元制备方法”的专利，公开号CN120187029A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请揭示了一种改善存储器的存储单元电极界面特性的存储单元制备方法，所述存储单元从下至上依序包含：下电极、中间介质层、上电极材料薄层、和上电极，所述方法依序包括如下步骤：a.先后分别沉积形成存储单元的下电极和中间介质层；b.在中间介质层上，沉积形成一个上电极材料薄层，该薄层的厚度小于后续成的上电极的厚度；接着，引入选自以下的处理气体：含氧气体、含氮气体、和/或含卤气体，对该上电极材料薄层进行表面处理；c.在上电极材料薄层上，沉积形成上电极。该方法能够消除因存储单元结构不对称所导致的存储单元在操作过程中的电压和电流的不对称性增大、和容易形成印记的缺陷。

天眼查资料显示，行至存储科技（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本758.928万人民币。通过天眼查大数据分析，行至存储科技（苏州）有限公司参与招投标项目1次，专利信息8条。

本文源自：金融界

作者：情报员