金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120187088A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；沟道区，位于衬底中；栅电极，位于衬底上，且与沟道区相对设置；栅电极层包括栅电极层，栅电极层包括：扩散阻挡层，包括一层第一多晶硅层，第一多晶硅层的厚度范围为50埃‑300埃，第一多晶硅层中的晶粒尺寸范围为10埃‑50埃；栅极导体层，位于扩散阻挡层远离沟道区的一侧，栅极导体层包括至少一层第二多晶硅层，第二多晶硅层中掺杂有硼。本申请方案的扩散阻挡层包括第一多晶硅层，其中晶粒尺寸范围为10埃‑50埃，能够增加硼在第一多晶硅层中的扩散难度，从而能够阻挡第二多晶硅层中的硼扩散至衬底中的沟道区，提高了器件性能和良率 。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自：金融界

作者：情报员