金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海川土微电子有限公司申请一项名为“一种均匀开启的GGNMOS结构”的专利，公开号CN120187109A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种均匀开启的GGNMOS结构，包括P型well掺杂类型阱区、环形P型重掺杂有源区、环形N型重掺杂有源区、N型well掺杂类型阱区、条形N型重掺杂有源区、环形多晶硅栅和中间P型重掺杂有源区。环形P型重掺杂有源区注入P型well掺杂类型阱区的边缘；环形N型重掺杂有源区位于P型重掺杂有源区的内侧，且和P型重掺杂有源区隔离设置；Nwell呈环形并位于衬底和环形N型重掺杂有源区之间；多个条形N型重掺杂有源区被环形N型重掺杂有源区包围；每一中间P型重掺杂有源区对应注入条形N型重掺杂有源区的中部。本发明的GGNMOS结构可以较容易地击穿产生雪崩电流，又可以迅速进入均匀的开启状态，解决了现有的多指GGNMOS导通不均匀的问题。

天眼查资料显示，上海川土微电子有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1902.787万人民币。通过天眼查大数据分析，上海川土微电子有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息127条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员