金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“非易失性两端存储单元的制备方法及其产品”的专利，公开号CN120187275A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本披露公开了一种非易失性两端存储单元的制备方法及其产品，制备方法包括：在下电极金属连接层的上表面堆叠第一介质层；基于第一图形化光罩层，形成第一区下电极互连通孔和第二区下电极互连通孔；形成填充第一区下电极互连通孔的第一区第一堆叠层，第一区第一堆叠层与第一区下电极金属连接层电连接；在第一区域和第二区域形成第二介质层；基于第一图形化光罩层，形成第一区上电极互连通孔和第二区上电极互连通孔；形成第一区上电极金属连接层和第二区上电极金属连接层。通过采用一层图形化光罩层，实现非易失性两端存储单元的制备，从而缩短非易失性两端存储单元的制备工艺流程，降低制备成本，提高下电极互连通孔和上电极互连通孔的对准精度。

天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4653.6715万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员