海力士申请包括铁电隧道势垒层的半导体器件专利,本公开涉及包括铁电隧道势垒层的半导体器件
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金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括铁电隧道势垒层的半导体器件”的专利,公开号CN120187044A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,本公开涉及包括铁电隧道势垒层的半导体器件。根据一个方面的一种半导体器件包括:第一电极层、设置在第一电极层之上的铁电隧道势垒层、以及设置在铁电隧道势垒层之上的第二电极层。铁电隧道势垒层包括氧空位。第二电极层包含金属氧化物。与第一电极层相比,第二电极层具有相对低的导电载流子密度。
本文源自:金融界
作者:情报员
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