金融界2025年6月25日消息，国家知识产权局信息显示，华润微电子（重庆）有限公司;重庆大学申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120201746A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体层、沟槽栅及深沟槽结构、柱区、保护区、源区、第一和二电极及栅极，其中，半导体层包括依次层叠的衬底、外延层及体区；沟槽栅结构贯穿体区；深沟槽结构嵌于沟槽栅结构下方的外延层中，且沟槽栅结构垂直于衬底与外延层堆叠方向的截面尺寸大于深沟槽结构的截面尺寸；柱区至少包裹外延层中深沟槽结构的侧壁且与体区连通；保护区位于沟槽栅结构的底部；源区位于体区上表层；第一电极与源区电连接；第二电极与半导体层底部电连接；栅极与沟槽栅结构电连接。

本文源自：金融界

作者：情报员