金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶格过渡型氮化镓HEMT器件的外延层及制造方法”的专利，公开号CN120224758A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶格过渡型氮化镓HEMT器件的外延层及制造方法，其中的外延层包括衬底、以及在所述衬底表面沿纵向依次层叠设置的AlN成核层、AlGaN缓冲层、超晶格缓冲层、AlGaN过渡层、高碳GaN层、低碳GaN沟道层、AlGaN势垒层和盖帽层。本发明中超晶格缓冲层与高碳GaN层之间插入AlGaN过渡层后，从较高铝含量的超晶格缓冲层先过渡到中等铝含量的AlGaN过渡层，然后再过渡到没有铝的高碳GaN层，减小了层与层之间的晶格失配，从而减小晶圆的形变与翘曲。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员