金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“压电薄膜上的高功率籽晶高图案化以用于压电器件制造”的专利，公开号CN120226491A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开内容的实施例涉及一种形成压电器件的方法。形成压电器件的所述方法包括在一个操作处，将底部电极安安置在在基板上方，并且经由物理气相沉积以大于3kW的靶材偏置功率将高功率籽晶层安置在所述底部电极上方。所述方法进一步包括将压电层安置在所述底部电极上方，并且在所述压电层上方以顶部电极图案形成顶部电极。压电器件包括安置在在基板上方的底部电极。高功率籽晶层安置在所述底部电极上方。压电层安置在所述高功率籽晶层上方。高功率籽晶层晶粒大小与压电晶粒大小匹配，并且高功率籽晶层晶粒取向与压电晶粒取向匹配。顶部电极安置在所述压电层上方。

本文源自：金融界

作者：情报员