金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司申请一项名为“一种低开启压降低损耗高击穿型续流SBD制备方法”的专利，公开号CN120224755A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供一种低开启压降低损耗高击穿型续流SBD制备方法，属于电子元件技术领域，本发明首先通过梯度掺杂技术在N型衬底上形成浓度递增的N层，构建电场优化区域；然后在表面进行精确控温界面钝化处理，形成钝化中间层；利用势垒高度物理机理方程计算接触参数，据此调整金属电极材料；采用磁控溅射沉积肖特基金属电极；构建击穿电压测试矩阵并分析紊乱矩阵中击穿路径；应用多目标帕累托优化算法解决低开启压降与高击穿电压冲突问题；设计终端场板结构形成电场缓冲区；通过回火处理优化界面特性；最后进行多次循环测试验证器件性能指标，解决了现有技术中存在的SBD难以同时实现低开启压降和高击穿电压的技术问题。

天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员