金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120224686A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：在衬底中的多个有源区；栅极沟槽，形成在多个有源区中的至少一个中，栅极沟槽包括第一侧壁、与第一侧壁相对的第二侧壁以及底部侧壁；生长促进区，形成在栅极沟槽的第一侧壁上；第一栅极介电层，形成在栅极沟槽的第一侧壁上以与生长促进区接触；第二栅极介电层，形成在栅极沟槽的第二侧壁上以比第一栅极介电层薄；以及栅电极，在第一栅极介电层和第二栅极介电层之上部分地填充栅极沟槽。

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