金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120239304A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构，衬底结构内设有第一阱区，第一阱区内设有间隔排布的第二阱区和漏区，第二阱区内设有源区；第一超结结构，设于第一阱区内，且位于第二阱区和漏区之间；至少一第二超结结构，设于第一阱区内，且位于第二阱区和漏区之间，且第二超结结构位于第一超结结构靠近衬底结构背面的一侧；至少一体内场板，设于第一阱区内，且位于第二阱区和漏区之间，且体内场板贯穿第一超结结构和至少一第二超结结构；其中，沿衬底结构正面至衬底结构背面的方向，体内场板的外径逐渐减小。

本文源自：金融界

作者：情报员