金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，北京航空航天大学;北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“芯片垂直方向上制备磁通聚集器的方法及对应的磁通聚集器”的专利，公开号CN120239564A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种芯片垂直方向上制备磁通聚集器的方法及对应的磁通聚集器，方法包括：利用光刻及刻蚀技术在硅衬底底部制备出正视图呈喇叭形或梯形且三维结构为截锥体的制备区域，制备区域底部宽于顶部，且并未穿透硅衬底，硅衬底的底部设置在芯片平面之上；在喇叭形区域中沉积磁通聚集器材料以形成第一磁通聚集单元；利用微纳加工在硅衬底的顶部制备出磁敏感单元，磁敏感单元的位置位于第一磁通聚集单元的正上方；在磁敏感单元顶部制备出与第一磁通聚集单元对称设置的第二磁通聚集单元。本发明通过在芯片的z轴方向集成磁通聚集器来汇聚磁通，这种设计可以增强具有垂直各向异性的磁敏感单元的灵敏度以及具有面内型磁敏感单元的传感器的灵敏度。

本文源自：金融界

作者：情报员