金融界 2025 年 7 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，中节能太阳能科技（镇江）有限公司申请一项名为“一种双隧穿多晶硅层的钝化接触电池的制备方法及电池”的专利，公开号 CN120264907A，申请日期为 2025 年 03 月。

专利摘要显示，一种双隧穿多晶硅层的钝化接触电池的制备方法，在硅片背面 p 区依次沉积第一隧穿氧化层、第一本征非晶硅层、低掺杂 p 型非晶硅层、第二隧穿氧化层、高掺杂 p 型非晶硅层、第一二氧化硅掩膜层；在硅片背面 n 区依次沉积第三隧穿氧化层、第二本征非晶硅层、低掺杂 n 型非晶硅层、第四隧穿氧化层、高掺杂 n 型非晶硅层、第二二氧化硅掩膜层；经过高温退火晶化处理使 p 型非晶硅和 n 型非晶硅同时转化为 p 型多晶硅和 n 型多晶硅，实现 TBC 电池 p 区和 n 区双隧穿钝化接触结构的制备。本发明提高了 p 区 p 型多晶硅和 n 区 n 型多晶硅的掺杂水平和钝化性能，提升了 TBC 电池的转换效率，并减少了生产步骤，降低了制备成本。

天眼查资料显示，中节能太阳能科技（镇江）有限公司，成立于2010年，位于镇江市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本50569万人民币。通过天眼查大数据分析，中节能太阳能科技（镇江）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2410次，专利信息397条，此外企业还拥有行政许可39个。

本文源自：金融界

作者：情报员