金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“电迁移测试结构及测试方法”的专利，公开号CN120261449A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供一种电迁移测试结构及测试方法，电迁移测试结构包括：测试金属线；以及围绕测试金属线设置的温度调控单元；温度调控单元包括多个依次连接的温度调控子单元；温度调控子单元中设有第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层和第二多晶硅层分别与测试金属线呈角度设置，以在第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成相对设置的第一端和第二端；其中，第一端靠近测试金属线设置，用于吸收周围环境中的热量；第二端远离测试金属线设置，用于向周围环境释放热量。如此配置，利用温差热电效应，通过将靠近测试金属线的第一端设置为吸热端，并将远离测试金属线的第二端设置为放热端，提高了测试金属线的散热效率，能够有效防止金属垫和探针的损坏。

本文源自：金融界

作者：情报员