现如今，半导体有源器件是电子系统核心。我国现行国标按结构类型对分立器件分类，包括二极管、三极管、电力电子功率器件等。许多半导体器件需长时间在高低温等恶劣环境工作，高低温失效问题严重。需针对分立元器件高低温失效问题，研究低温下器件电特性及参数随温度变化规律。所以，高低温环境的设立和保持对半导体器件很重要，会影响其运行可行性和数据准确性。

试验设备：环仪仪器 高低温试验箱

实验标准：美国军事标准 MIL-STD-750 方法 1051、国家军事标准 GJB-128A-97 方法 1051 和 JESD22-A104-C。

试验流程：

可靠性评判标准

半导体器件在试验箱内依据设定的条件进行高低温冲击，在温度保持稳定后，可在线监测，通过一系列参数测试的失效与否来评判其可靠性，达到失效标准即可停止试验。半导体器件的失效标准为：

（1）转移特性曲线和输出特性参数指标超出初始值的±10%，则判为失效；

（2）低频跨导gm、Vth、BVDSS、IDSS超出初始值的±10%，则判为失效；

（3）导通电阻RON超出初始值的±15%，则判为失效；

（4）样品出现某些不可恢复性变化，如封装裂纹、引脚断裂等，则判为失效。

如果在上述失效标准的前提下，实验时间过长都无法失效，则可以将失效标准下降到±10%。

如有试验疑问，可以咨询“环仪仪器”技术人员。