金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，IMEC非营利协会、华为技术有限公司申请一项名为“具有内栅极和外栅极之间的功函数失配的全环绕栅极器件”的专利，公开号CN120283454A，申请日期为2022年09月。

专利摘要显示，本发明涉及一种基于全环绕栅极(GAA)晶体管结构制成的GAA器件，该结构包括沿第一方向交替地布置的多个半导体沟道层和一个或多个第一栅极层的堆叠。每一沟道层由栅极介电层包封，并且每一第一栅极层被依次布置在两个沟道层之间。GAA晶体管结构还包括两个第二栅极层，它们在第二方向上将堆叠夹在中间并连接到第一栅极层。每一第一栅极层由第一功函数金属结构制成，并且每一第二栅极层由不同于第一功函金属结构的第二功函数金属结构制成。每一第一栅极层具有第一厚度，并且每一第二栅极层具有大于第一厚度的第二厚度。

本文源自：金融界

作者：情报员