金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120282502A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。半导体器件包括半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；所述阱区与所述第一区域的第一侧面相接，且所述阱区延伸至所述第一区域的第一底面并与所述第一底面相接；其中，所述第一底面与所述第一表面相对；隔离结构，位于所述第一表面且从所述第一表面延伸至所述第一区域内，所述隔离结构与所述第一侧面间隔设置。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目23次，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自金融界