金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有沟道帽层结构的三维存储器设备及其形成方法”的专利，公开号CN120283449A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体结构包括绝缘层与导电层的交替堆叠、竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口，以及位于该存储器开口中的存储器开口填充结构。通过在该竖直半导体沟道的端部部分上进行选择性沉积来形成含IV族材料部分。另选地，能够通过对半导体材料进行选择性或非选择性沉积而直接在该竖直半导体沟道的底表面上形成背面半导体帽层结构。

本文源自：金融界

作者：情报员