金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，北京京东方技术开发有限公司、京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“隧穿场效应晶体管及其制备方法与光子芯片、光通信设备”的专利，公开号CN120302657A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请属于晶体管技术领域，具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法与光子芯片、光通信设备。本申请的隧穿场效应晶体管在隧穿场有源层内形成隧道结，该隧道结具备一定的结面积，且垂直于栅电极，进一步通过栅电极对整个隧道结较强的控制力以缩短隧穿通道的距离，有利于提高隧穿场效应晶体管的开态电流及降低器件功耗。与此同时，本申请的设计方式方便实现场隧穿效应晶体管的可重构特性，以提高器件的灵活性与适应性，这对于开发更小、更节能的电路至关重要。

天眼查资料显示，北京京东方技术开发有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3800万人民币。通过天眼查大数据分析，北京京东方技术开发有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目91次，专利信息3132条，此外企业还拥有行政许可4个。

京东方科技集团股份有限公司，成立于1993年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3764501.6203万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方科技集团股份有限公司共对外投资了71家企业，参与招投标项目256次，财产线索方面有商标信息776条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可48个。

本文源自：金融界

作者：情报员