金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有与铬扩散阻挡结合的无铝-锰-锗层的快速交换MRAM”的专利，公开号CN120304048A，申请日期为2023年07月。

专利摘要显示，本发明公开了磁性隧道结(MTJ)柱(或其阵列)，每个MTJ柱具有磁性自由层(160)(包含例如铝的快速交换材料或例如镓的金属)、磁性参考层(124)和分离两个磁性层的隧道阻挡层(150)。被设置在磁性自由层(160)和隧道阻挡层(150)之间的含铬扩散阻挡层防止铝(或镓)从磁性自由层扩散到MTJ柱的隧道阻挡层中。还公开了使用(多个)快速交换MTJ的设备和制造该(多个)快速交换MTJ的方法。其实现具有减小的电阻面积(RA)的设备。提供了使用AlMnGe合金来制造具有四方晶体结构和较低磁矩的磁性自由层，该较低磁矩支持较高磁性定向交换速度。

本文源自：金融界

作者：情报员