金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料股份有限公司申请一项名为“两步骤植入以改善线边缘粗糙度与线宽粗糙度”的专利，公开号CN120303771A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本揭示在半导体工件上对经图案化光致抗蚀剂进行处理以减小线边缘粗糙度及线宽粗糙度的方法。在光致抗蚀剂已被图案化之后且在开始进行蚀刻制程之前实行所述方法。在高倾斜角度下实行使用不同物种进行的两次植入。在某些实施例中，倾斜角度可为45°或大于45°。此外，在使得离子的轨迹几乎平行于经图案化光致抗蚀剂线的扭转角度下实行所述植入。通过此种方式，来自所述两次植入的离子会扫射光致抗蚀剂线的顶部及侧壁。通过使用此种技术，可在对CD的影响最小的情况下减小光致抗蚀剂线的LER及LWR。

本文源自：金融界

作者：情报员