金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域”的专利，公开号CN120321972A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本文涉及用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域。提供了一种沟槽栅极MOSFET以及在沟槽栅极MOSFET中的沟槽栅极的底部表面处形成自对准沟槽底部保护区域的方法。方法包括在具有第二导电类型的半导体本体区域内形成具有第一导电类型的半导体源极区域，该半导体本体区域将半导体源极区域与半导体外延层分离。方法还包括在半导体源极区域的暴露表面中蚀刻出沟槽栅极开口，其中沟槽栅极开口的底部表面在半导体外延层内。方法还包括通过通道注入过程注入具有第二导电类型的屏蔽掺杂剂。在通道注入过程期间，半导体源极区域的暴露表面暴露于屏蔽掺杂剂，并且屏蔽掺杂剂在沟槽栅极开口的底部表面处形成沟槽底部保护区域。

本文源自：金融界

作者：情报员