金融界2025年7月15日消息,国家知识产权局信息显示,硅晶体有限公司取得一项名为“具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法”的专利,授权公告号CN113957532B,申请日期为2021年07月。

本文源自:金融界

作者:情报员