金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“一种晶体管结构及其制作方法”的专利，公开号CN120343942A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种晶体管结构及其制作方法，晶体管结构包括衬底基板，以及设置于衬底基板上的异质结膜层、半导体栅极层、刻蚀停止层、合金层和金属栅极层；合金层位于半导体栅极层和金属栅极层之间；半导体栅极层在衬底基板上的正投影与金属栅极层在衬底基板上的正投影至少部分交叠。由此，刻蚀停止层不仅能在晶体管结构的制作过程中保护半导体栅极层的表面，而且可以直接与金属层发生反应转化为合金层，无需去除，从而在有效解决刻蚀深度难以控制的问题的同时，简化了工艺流程并提高了生产效率。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可51个。

本文源自：金融界

作者：情报员