金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有不同侧壁间隔物构型的高压场效应晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN120345362A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，一种半导体结构包括第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物具有与第一栅极电介质的第一横向笔直侧壁的顶部边缘重合的第一横向笔直底部边缘。该半导体结构还包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括：第二栅极电介质，该第二栅极电介质包括上覆于相应第二有源区上的至少一个分立的栅极电介质开口；和第二栅极间隔物，该第二栅极间隔物包括上覆于第二栅极电极上并且横向围绕该第二栅极电极的轮廓部分，以及上覆于该第二有源区上并且包括至少一个分立的栅极间隔物开口的至少一个水平延伸部分。该第二场效应晶体管可具有对称或非对称构型。

本文源自：金融界

作者：情报员