索泰克申请制备含锂铁电材料单畴薄层方法专利,形成富锂钝化层
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金融界2025年7月19日消息,国家知识产权局信息显示,索泰克公司申请一项名为“用于制备由含锂铁电材料制成的单畴薄层的方法”的专利,公开号CN120345398A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明涉及一种用于制备由含锂铁电材料制成的单畴薄膜(4)的方法,该方法包括提供具有自由表面(9)的第一层(8)。根据本发明,制备方法包括将第一层(8)的自由侧(9)暴露于包含至少0.02%的二氧化碳的处理气氛以形成富锂钝化层的表面处理和用于去除富锂钝化层的去除处理。
本文源自:金融界
作者:情报员
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