金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种通过双研消除金刚线切割碳化硅晶片线痕的方法”的专利，公开号CN120347664A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及一种通过双研消除金刚线切割碳化硅晶片线痕的方法，所述方法包括如下步骤：对叠放的2片碳化硅晶片依次进行双面粗磨与双面精磨，清洗，完成碳化硅晶片表面线痕的去除；所述双面粗磨使用水包油型研磨液；所述双面精磨使用油包水型研磨液。本发明提供的方法通过合理的工艺设计，能够在切割碳化硅晶片后，高效去除线痕，显著提高晶片的表面质量，同时避免传统方法中可能存在的表面损伤问题。通过本发明提供的方法，不仅能够减少表面缺陷，还能够显著提升加工效率、降低生产成本，特别适用于碳化硅晶片的大规模生产。

天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可17个。

本文源自：金融界

作者：情报员