金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括具有不同体积的沟槽桥结构的三维存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120359819A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的至少一个交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直地延伸穿过该至少一个交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中；和横向延伸沟槽填充结构，该横向延伸沟槽填充结构接触该至少一个交替堆叠的第一纵向侧壁并且包括：具有第一体积的第一类型电介质桥结构；具有第二体积的第二类型电介质桥结构，该第二体积大于该第一体积；和沟槽电介质材料部分。

本文源自：金融界

作者：情报员