金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市昇维旭技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379278A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，半导体结构及其形成方法，结构包括：多个间隔分布的着陆部，每个着陆部位于对应的互连部的顶部且与其接触连接，且着陆部在基底结构上的投影与导电部在基底结构上的投影部分重叠，互连部在基底结构上的投影位于着陆部在基底结构上的投影内；绝缘结构，绝缘结构覆盖基底结构中未被互连部覆盖的上表面及互连部和着陆部的侧面；第一堆叠结构，覆盖于绝缘结构和着陆部的顶面；多个间隔分布的第一电极柱，每个第一电极柱贯穿嵌于第一堆叠结构中且与对应的着陆部接触连接，第一电极柱在基底结构上的投影与导电部在基底结构上的投影部分重叠，且第一电极柱在基底结构上的投影位于着陆部在基底结构上的投影内。

天眼查资料显示，深圳市昇维旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市昇维旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员