金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括扩展支撑开口和双间隔物字线接触形成的三维存储器设备及其制造方法”的专利，公开号CN120380855A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，存储器设备包括相应绝缘层和相应导电层的至少一个交替堆叠和竖直地延伸穿过该至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。层接触通孔结构接触该导电层中的一个导电层的顶部表面，并且由至少一个电介质间隔物并任选地由多个电介质支撑柱结构横向围绕，该至少一个电介质间隔物可包括多个电介质间隔物。附加地或另选地，该层接触通孔结构可包括凸表面段，该凸表面段邻接到直侧壁段。

本文源自：金融界

作者：情报员