金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“测试结构及形成测试结构的方法”的专利，公开号CN120376549A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请提供一种测试结构，其包括横跨每个第一有源区及其相邻的隔离结构形成的辅助结构，每个辅助结构被构型为以使得所述第一有源区的第一部分被所述辅助结构覆盖，而所述第一有源区的第二部分不被覆盖；通过对每个所述第一有源区的第二部分进行不同于所述第二导电类型的第一导电类型的掺杂以分别形成的第一重掺杂区，每个所述第一重掺杂区与其所在的第一有源区的横向交界处形成的第一PN结界面，并且在纵向交界处形成第二PN结界面。本申请的测试结构不必受到重掺杂区最小工艺尺寸的影响。本申请还公开了形成测试结构的方法。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息349条，此外企业还拥有行政许可125个。

本文源自：金融界

作者：情报员