金融界2025年7月29日消息,国家知识产权局信息显示,南京邮电大学、南京邮电大学南通研究院有限公司取得一项名为“一种双沟道超结碳化硅MOSFET”的专利,授权公告号CN119855213B,申请日期为2025年03月。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2025年7月29日消息,国家知识产权局信息显示,南京邮电大学、南京邮电大学南通研究院有限公司取得一项名为“一种双沟道超结碳化硅MOSFET”的专利,授权公告号CN119855213B,申请日期为2025年03月。
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