金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法”的专利，公开号CN120383316A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体或太阳能产业的主原料使用的多晶硅沉积技术领域，尤其涉及基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法，该控制方法包括基于第一预设时长内的硅芯棒的表面温度分布均匀程度和/或第二预设时长内硅芯棒的生长均匀程度确定获取硅芯棒的生长异常区域数据和硅芯棒的整体生长速率数据；基于存在未重叠区域的生长异常区域与空间拼接后的生长异常区域是否覆盖所述硅芯棒一周，以及硅芯棒的整体生长速率与预设整体生长速率的比对结果确定以局部控制方法控制进气或以整体控制方法控制进气；本发明通过提高对硅芯棒生长特征分析的精准性进而提高对进气装置控制的精准性。

天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息195条，此外企业还拥有行政许可51个。

本文源自：金融界

作者：情报员