金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“提高薄膜中二氧化钒含量的磁控溅射工艺及镀膜装置”的专利，公开号CN120400758A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请公开了一种提高薄膜中二氧化钒含量的磁控溅射工艺及镀膜装置，通过两次磁控溅射于衬底表面沉积得第一层薄膜和第二层薄膜，两次使用的工艺气体的氧气流量不同，以制得富氧态氧化钒薄膜和缺氧态氧化钒薄膜；将完成表面镀膜的衬底放入退火腔，退火腔内维持150‑350℃，在该温度下，氧原子能够获得足够的能量克服晶格势垒、开始移动，氧原子会自发地从高浓度的富氧层向低浓度的缺氧层扩散，最终实现氧元素在薄膜中的均匀分布，最终形成二氧化钒含量较高且成分均匀的薄膜。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2147.0967万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员