金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN120413519A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，可包括一基底，形成多个沟槽位于所述基底内，并在所述沟槽内填充聚硅氮烷层，然后，对所述基底执行多次退火处理，以将所述聚硅氮烷层转换成氧化物层，且在每次退火处理之前均先对所述基底执行泡水处理，从而有效提高了所述聚硅氮烷层的膜质转化率，最终提高了基底不同位置沟槽氧化物厚度均匀性，解决了随着沟槽深宽比加大，聚硅氮烷膜质变差的问题，保证了产品晶圆接受测试均匀性和良率。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2359条，此外企业还拥有行政许可344个。

本文源自：金融界

作者：情报员