金融界2025年8月7日消息，国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120435021A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底中形成有电流分散层；第一掺杂区，位于所述电流分散层的第一侧和第二侧，所述第一侧的第一掺杂区的深度向所述第一侧的方向逐渐增加，所述第二侧的第一掺杂区的深度向所述第二侧的方向逐渐增加；第二掺杂区，位于所述电流分散层的第一侧和第二侧的第一掺杂区中，所述第一侧的第二掺杂区的深度向所述第一侧的方向逐渐增加，所述第二侧的第二掺杂区的深度向所述第二侧的方向逐渐增加。

天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员