金融界2025年8月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“提高单晶particle缺陷良率的方法及其产品”的专利，公开号CN120425449A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种提高单晶particle缺陷良率的方法及其产品，方法包括在固定拉速下，通过有意地使液口距进行波动，可以改变熔融硅液与晶棒接触界面的条件，从而影响晶棒的生长速率和直径，通过精确控制液口距的波动范围，可以减少晶体中的particle缺陷，提高单晶硅棒的质量及良率。具体来说，当液口距增大时，熔融硅液与晶棒的接触面积减小，可能减缓晶棒的生长速率；反之，当液口距减小时，接触面积增大，可能加快晶棒的生长速率。通过精确控制液口距的波动范围和频率，可以使晶棒的直径在±0.3mm的范围内波动，这种微小的直径变化有助于优化晶棒内部的应力分布和晶体结构，从而减少particle缺陷的产生，将particle缺陷良率提升了18%左右。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息295条，此外企业还拥有行政许可25个。

本文源自：金融界

作者：情报员