金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，昂图创新有限公司申请一项名为“用于高级集成电路器件的套刻校正”的专利，公开号CN120457527A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本文描述的各种示例包括基于来自要在衬底的随后形成的层上形成的各种特征的位置相对于先前形成的层上的类似特征的位置的临界尺寸(CD)测量的反馈的对于层到层或衬底到衬底套刻对准的校正。可通过确定形成的层中的每个形成的层上的特征中的多个特征相对于叠堆中的第一层的位置来增强层到层或衬底到衬底套刻对准反馈。此外，可通过确定形成的层中的每个形成的层上的特征中的多个特征相对于先前形成的层的位置来增强层到层或衬底到衬底套刻对准反馈。可将套刻对准误差发送回光刻曝光工具。可标记累积的套刻误差。还公开了其他技术和方法。

本文源自：金融界

作者：情报员