金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120457785A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明的SiC半导体装置包括：第一导电型的SiC层，其包括主面，具有沿着厚度方向的轴沟道；第二导电型的杂质区域，其在所述SiC层内沿着所述轴沟道延伸；第二导电型的主体区域，其相对于所述杂质区域形成在所述主面侧的区域；以及栅极结构，其具有在所述主面中贯通所述主体区域的沟槽、配置在比所述主面更靠所述沟槽的底壁侧的埋设电极、以及配置在比所述主面更靠所述沟槽的底壁侧并覆盖所述埋设电极的埋设绝缘体。

本文源自：金融界

作者：情报员