金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120456558A，申请日期为2024年06月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括层叠的栅极线；第一接触插塞，其延伸穿过栅极结构，电连接到栅极线当中的第一栅极线，并且包括具有锥形形状的第一部分和具有倒锥形形状的第二部分；以及第二接触插塞，其延伸穿过栅极结构，并且第二接触插塞电连接到栅极线当中的第二栅极线，并具有锥形形状。

本文源自：金融界

作者：情报员