金融界2025年8月9日消息,国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利,公开号CN120457787A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明的SiC半导体装置包括:第一导电型的SiC层,其包括主面,且在层叠方向具有轴沟道;沟槽,其形成于所述主面,且在与所述SiC层的底部之间划分出下侧区域;以及第二导电型的柱区域,其在所述SiC层内形成于所述下侧区域,且沿着所述轴沟道延伸。
本文源自:金融界
作者:情报员
金融界2025年8月9日消息,国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利,公开号CN120457787A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明的SiC半导体装置包括:第一导电型的SiC层,其包括主面,且在层叠方向具有轴沟道;沟槽,其形成于所述主面,且在与所述SiC层的底部之间划分出下侧区域;以及第二导电型的柱区域,其在所述SiC层内形成于所述下侧区域,且沿着所述轴沟道延伸。
本文源自:金融界
作者:情报员
00:08
热门跟贴